FDB024N06
FDB024N06
Modelo do Produto:
FDB024N06
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
54950 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDB024N06.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.4 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max):395W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FDB024N06CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14885pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:226nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 120A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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