| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 5mA |
| Vgs (Max): | +6V, -5V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die Outline (11-Solder Bar) |
| Série: | eGaN® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 7 mOhm @ 25A, 5V |
| Dissipação de energia (Max): | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Outros nomes: | 917-1014-2 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 100V 25A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 25A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
