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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G
Modelo do Produto:
APT75GN60B2DQ3G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 600V 155A 536W TO264
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
77539 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APT75GN60B2DQ3G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.85V @ 15V, 75A
Condição de teste:400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:47ns/385ns
Alternando Energia:2500µJ (on), 2140µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:-
Série:-
Power - Max:536W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:485nC
Descrição detalhada:IGBT 600V 155A 536W Through Hole
Atual - Collector Pulsada (ICM):225A
Atual - Collector (Ic) (Max):155A
Email:[email protected]

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