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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT100M50J
APT100M50J
APT100M50J
Modelo do Produto:
APT100M50J
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
53195 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APT100M50J.pdf2.APT100M50J.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:38 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max):960W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes:APT100M50JMI
APT100M50JMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:24600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:620nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:103A (Tc)
Email:[email protected]

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