TK42A12N1,S4X
TK42A12N1,S4X
Part Number:
TK42A12N1,S4X
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Opis:
MOSFET N-CH 120V 42A TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
44115 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
TK42A12N1,S4X.pdf

Wprowadzenie

TK42A12N1,S4X najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem TK42A12N1,S4X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu TK42A12N1,S4X pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220SIS
Seria:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @ ID, Vgs:9.4 mOhm @ 21A, 10V
Strata mocy (max):35W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-220-3 Full Pack
Inne nazwy:TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-ND
TK42A12N1S4X
temperatura robocza:150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:3100pF @ 60V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:52nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):120V
szczegółowy opis:N-Channel 120V 42A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze