MT53D512M64D4RQ-053 WT:E - Micron Technology Pamięć

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

Part Number:: MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

Producent:: Micron Technology

Opis:: IC DRAM 32G 1866MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: Bezołowiowa / zgodna z RoHS

Ilość:: 43797 Pieces

Czas dostawy:: 1-2 days

Arkusz danych:: MT53D512M64D4RQ-053 WT:E.pdf

Zapytanie ofertowe

Wprowadzenie

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E najlepsza cena i szybka dostawa.

BOSER Technology jest dystrybutorem MT53D512M64D4RQ-053 WT:E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu MT53D512M64D4RQ-053 WT:E pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan	New and Original
Pochodzenie	Contact us
Dystrybutor	Boser Technology
Zapisać czas cyklu - słowo, strona:	-
Napięcie - Dostawa:	1.1V
Technologia:	SDRAM - Mobile LPDDR4
Seria:	-
Inne nazwy:	MT53D512M64D4RQ-053 WT:E-ND MT53D512M64D4RQ-053WT:E
temperatura robocza:	-30°C ~ 85°C (TC)
Poziom czułości na wilgoć (MSL):	3 (168 Hours)
Typ pamięci:	Volatile
Rozmiar pamięci:	32Gb (512M x 64)
Interfejs pamięci:	-
Format pamięci:	DRAM
Status bezołowiowy / status RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz
Częstotliwość zegara:	1866MHz
Email:	[email protected]

Podobne zamienne do MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

Part Number	Producenci	Opis	Widok
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D8HR-053 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4SB-046 XT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	Zapytanie ofertowe
MT53D512M64D4SB-046 XT:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ	Zapytanie ofertowe

Wprowadzenie

Specyfikacje

Szybkie zapytanie ofertowe

Latest Aktualności