| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologia: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Inne nazwy: | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR-ND MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84FTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | FLASH, RAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) Parallel 533MHz |
| Częstotliwość zegara: | 533MHz |
| Email: | [email protected] |
