| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 100ns |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-EDIP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 4Mb (512K x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | NVSRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP |
| Podstawowy numer części: | DS1250Y |
| Czas dostępu: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
