| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (maks.): | - |
| Technologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-257 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 105 mOhm @ 15A |
| Strata mocy (max): | 172W (Tc) |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-257-3 |
| Inne nazwy: | 1242-1150 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1534pF @ 35V |
| Rodzaj FET: | - |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 650V |
| szczegółowy opis: | 650V 15A (Tc) (155°C) 172W (Tc) Through Hole TO-257 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) (155°C) |
| Email: | [email protected] |
