SIHU2N80E-GE3 최고의 가격과 빠른 배달.
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SIHU2N80E-GE3
- 제품 모델:
- SIHU2N80E-GE3
- 기술:
- MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 46473 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- SIHU2N80E-GE3.pdf
소개
우리의 이메일 : [email protected]
규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대): | ±30V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | IPAK (TO-251) |
| 연속: | E |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 2.75 Ohm @ 1A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 62.5W (Tc) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 315pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 19.6nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 800V |
| 상세 설명: | N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 2.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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