GT8G133(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage 트랜지스터-이그bts-단일

GT8G133(TE12L,Q)

제품 모델:: GT8G133(TE12L,Q)

제조사:: Toshiba Semiconductor and Storage

기술:: IGBT 400V 600MW 8TSSOP

[LeadFreeStatus]未找到翻译: 무연 / RoHS 준수

수량:: 69272 Pieces

배달 시간:: 1-2 days

데이터 시트:: GT8G133(TE12L,Q).pdf

문의

소개

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규격

조건	New and Original
유래	Contact us
살수 장치	Boser Technology
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	400V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	2.9V @ 4V, 150A
시험 조건:	-
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	1.7µs/2µs
에너지 전환:	-
제조업체 장치 패키지:	8-TSSOP
연속:	-
전력 - 최대:	600mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
작동 온도:	150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:	Lead free / RoHS Compliant
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	-
상세 설명:	IGBT 400V 600mW Surface Mount 8-TSSOP
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	150A
Email:	[email protected]

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