2SK545-11D-TB-E 최고의 가격과 빠른 배달.
BOSER Technology 2SK545-11D-TB-E에 대한 유통 업체입니다, 우리는 즉각적인 배송을 위해 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 2SK545-11D-TB-E 구입 계획을 전자 메일로 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.우리의 이메일 : [email protected]
2SK545-11D-TB-E
- 제품 모델:
- 2SK545-11D-TB-E
- 기술:
- JFET N-CH 1MA 125MW CP
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 42597 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- 2SK545-11D-TB-E.pdf
소개
우리의 이메일 : [email protected]
규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 전압 - 컷오프 (VGS 꺼짐) 아이디 @: | 1.5V @ 1µA |
| 제조업체 장치 패키지: | 3-CP |
| 연속: | - |
| 전력 - 최대: | 125mW |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 다른 이름들: | 2SK545-11D-TB-E-ND 2SK545-11D-TB-EOSTR |
| 작동 온도: | - |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 15 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1.7pF @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 40V |
| 상세 설명: | JFET N-Channel 1mA 125mW Surface Mount 3-CP |
| 드레인 전류 (ID) - 최대: | 1mA |
| 전류 - Vds를 @ 드레인 (IDSS) (의 Vgs = 0): | 60µA @ 10V |
| Email: | [email protected] |
2SK545-11D-TB-E에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Vishay는 VCSEL을 기반으로 새로운 고성능 반사광 센서를 출시했습니다.
- 작은 충전 IC 그루터기 사과, Huawei, Samsung의 이유는 무엇입니까?
- 전자 재료의 반도체 산업의 중요성
- 탄소 기반의 반도체는 어떻게 무너 지는가?
- 중국의 세계적인 전자 제품 공급망에서의 중요한 역할
- 50 억 위안! Ziguang의 주식을 취득하려는 Alibaba의 의도의 노출
- 국내 고전압 및 대용량 압착 IGBT 칩 및 장치를 성공적으로 개발했습니다.
- 국내 반도체 IP는 터닝 포인트에서도 안지 시켰고, 이동 기술의 장점 및 기회 분석
- 화웨이 허블 (Huawei Hubble)은 심하게 투자합니다 : 반도체 산업에 밀접하게 집중
- 포장 및 테스트, MOSFET 20 %까지 급증했습니다!
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 새로운 팹의 물결이 다시 나타나고 반도체 장비의 붐이 계속됩니다.