W987D2HBJX6I
W987D2HBJX6I
Modello di prodotti:
W987D2HBJX6I
fabbricante:
Winbond Electronics Corporation
Descrizione:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
32945 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
W987D2HBJX6I.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:15ns
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPSDR
Contenitore dispositivo fornitore:90-VFBGA (8x13)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:90-TFBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Frequenza dell'orologio:166MHz
Tempo di accesso:5.4ns
Email:[email protected]

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