UPA2379T1P-E1-A
UPA2379T1P-E1-A
Modello di prodotti:
UPA2379T1P-E1-A
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 12V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
67411 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
UPA2379T1P-E1-A.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Potenza - Max:1.8W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-XFLGA
Altri nomi:UPA2379T1P-E1-ACT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.8W Surface Mount 6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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