| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 1.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Serie: | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 109 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 240W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-VSFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5LVQTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
