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RLD2WMFL1-NEW
Modello di prodotti:
RLD2WMFL1-NEW
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
LASER DIODE 660NM 780NM 7MW
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
86613 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RLD2WMFL1-NEW.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
lunghezza d'onda:660nm, 780nm
Tensione - Ingresso:1.8 ~ 2.3 V, 2.3 ~ 2.7 V
Serie:-
Potenza (W):7mW
Contenitore / involucro:-
Altri nomi:Q5382543
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Laser Diode 660nm, 780nm 7mW 1.8 ~ 2.3 V, 2.3 ~ 2.7 V 18mA
Valutazione attuale:18mA
Email:[email protected]

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Parti relative per RLD2WMFL1-NEW

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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DM80-01-1-9260-3-LC Finisar Corporation LASER DIODE 1557NM 5.011MW Inchiesta
DM80-01-3-9280-3-LC Finisar Corporation LASER DIODE 1555NM 2.511MW Inchiesta
DM80-01-1-8810-3-LC Finisar Corporation LASER DIODE 1594NM 5.011MW Inchiesta
DM80-01-3-9430-3-LC Finisar Corporation LASER DIODE 1543NM 2.511MW Inchiesta
VLM-650-16-LPA Quarton, Inc. LASER DIODE 650NM 3.5MW 8.5MM Inchiesta
DM80-01-3-8700-3-LC Finisar Corporation LASER DIODE 1603NM 2.511MW Inchiesta
VLM-650-04 LPA Image VLM-650-04 LPA Quarton, Inc. LASER DIODE 650NM 2.5MW 6.5MM Inchiesta
NX7437BF-AA-AZ CEL (California Eastern Laboratories) LASER DIODE 1490NM 90MW MODULE Inchiesta
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