RFP70N06
Modello di prodotti:
RFP70N06
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
37456 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.RFP70N06.pdf2.RFP70N06.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:14 mOhm @ 70A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:156nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 70A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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