| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 100 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 100 kOhms |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | 934057567126 PDTC115ES AMO PDTC115ES AMO-ND |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 20mA |
| Numero di parte base: | PDTC115 |
| Email: | [email protected] |
