| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| imballaggio: | - |
| Contenitore / involucro: | - |
| Altri nomi: | MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT-ND MT29C4G96MAYAPCMJ-5IT |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FLASH, RAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz |
| Frequenza dell'orologio: | 200MHz |
| Numero di parte base: | MT29C4G96M |
| Email: | [email protected] |
