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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > MRF8P20165WHSR3
MRF8P20165WHSR3
MRF8P20165WHSR3
Modello di prodotti:
MRF8P20165WHSR3
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
75695 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MRF8P20165WHSR3.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:NI-780S-4
Serie:-
Alimentazione - uscita:37W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:NI-780S-4
Altri nomi:935314475128
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:14.8dB
Frequenza:1.98GHz ~ 2.01GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 550mA 1.98GHz ~ 2.01GHz 14.8dB 37W NI-780S-4
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:550mA
Numero di parte base:MRF8P20165
Email:[email protected]

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