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JANTX1N5809URS
Modello di prodotti:
JANTX1N5809URS
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
60464 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
JANTX1N5809URS.pdf
Inchiesta

introduzione

JANTX1N5809URS miglior prezzo e consegna veloce.
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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:875mV @ 4A
Tensione - inversa (Vr) (max):100V
Contenitore dispositivo fornitore:B, SQ-MELF
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/477
Tempo di ripristino inverso (trr):30ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, B
Altri nomi:1086-19442
1086-19442-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr:5µA @ 100V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per JANTX1N5809URS

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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JANTX1N5807US Microsemi DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF Inchiesta
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JANTX1N5816 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA Inchiesta
JANTX1N5804 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Inchiesta
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