IPG20N06S2L65AATMA1
IPG20N06S2L65AATMA1
Modello di prodotti:
IPG20N06S2L65AATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 8TDSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
64125 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IPG20N06S2L65AATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 14µA
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8-10
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:65 mOhm @ 15A, 10V
Potenza - Max:43W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IPG20N06S2L65AATMA1CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:410pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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