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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > EDFA112A2PD-GD-F-D
EDFA112A2PD-GD-F-D
Modello di prodotti:
EDFA112A2PD-GD-F-D
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 16G PARALLEL 800MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
52266 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EDFA112A2PD-GD-F-D.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.14 V ~ 1.95 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR3
Serie:-
temperatura di esercizio:-30°C ~ 85°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:16Gb (128M x 128)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (128M x 128) Parallel 800MHz
Frequenza dell'orologio:800MHz
Email:[email protected]

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