DMG8880LK3-13
DMG8880LK3-13
Modello di prodotti:
DMG8880LK3-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
94675 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMG8880LK3-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.68W (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:DMG8880LK3-13DICT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1289pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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