| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 2.375 V ~ 2.625 V |
| Tecnologia: | SRAM - Synchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 100-TQFP (14x20) |
| Serie: | NoBL™ |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 100-LQFP |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 36Mb (2M x 18) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Synchronous Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 3.2ns 100-TQFP (14x20) |
| Frequenza dell'orologio: | 200MHz |
| Numero di parte base: | CY7C1462 |
| Tempo di accesso: | 3.2ns |
| Email: | [email protected] |
