| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 11mA |
| Vgs (Max): | +15V, -4V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-4L |
| Serie: | C3M™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 39 mOhm @ 35A, 15V |
| Dissipazione di potenza (max): | 149W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | TO-247-4 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | Not Applicable |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1864pF @ 600V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 87nC @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 900V 63A (Tc) 149W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
