Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT50M65B2FLLG
APT50M65B2FLLG
APT50M65B2FLLG
Modello di prodotti:
APT50M65B2FLLG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
39158 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APT50M65B2FLLG.pdf2.APT50M65B2FLLG.pdf
Inchiesta

introduzione

APT50M65B2FLLG miglior prezzo e consegna veloce.
BOSER Technology è il distributore di APT50M65B2FLLG, disponiamo delle scorte per la spedizione immediata e disponibili anche per la fornitura a lungo termine. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per APT50M65B2FLLG via e-mail, vi forniremo il miglior prezzo in base al vostro piano.
La nostra email: [email protected]

Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs:65 mOhm @ 33.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):694W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:23 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7010pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:141nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 67A (Tc) 694W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per APT50M65B2FLLG

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
APT50N60JCU2 Image APT50N60JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 Inchiesta
APT50M65JLL Image APT50M65JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Inchiesta
APT50GT120JU3 Image APT50GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 75A 347W SOT227 Inchiesta
APT50N60JCCU2 Image APT50N60JCCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 Inchiesta
APT50M65LFLLG Image APT50M65LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 Inchiesta
APT50GT60BRDQ2G Image APT50GT60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 Inchiesta
APT50M65JFLL Image APT50M65JFLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Inchiesta
APT50M50JLL Image APT50M50JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 Inchiesta
APT50M38JLL Image APT50M38JLL Microsemi MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 Inchiesta
APT50M75JLLU3 Image APT50M75JLLU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 Inchiesta
APT50GT120JRDQ2 Image APT50GT120JRDQ2 Microsemi IGBT 1200V 72A 379W SOT227 Inchiesta
APT50M65B2LLG Image APT50M65B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX Inchiesta
APT50GT120B2RG Image APT50GT120B2RG Microsemi IGBT 1200V 94A 625W TO247 Inchiesta
APT50GT60BRG Image APT50GT60BRG Microsemi IGBT 600V 110A 446W TO247 Inchiesta
APT50MC120JCU2 Image APT50MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V SOT227 Inchiesta
APT50GT120LRDQ2G Image APT50GT120LRDQ2G Microsemi IGBT 1200V 106A 694W TO264 Inchiesta
APT50GT120JU2 Image APT50GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 75A 347W SOT227 Inchiesta
APT50M75JLLU2 Image APT50M75JLLU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 Inchiesta
APT50M65LLLG Image APT50M65LLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 Inchiesta
APT50GT120B2RDQ2G Image APT50GT120B2RDQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 625W TO247 Inchiesta

Latest Notizie