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APT50GR120JD30
APT50GR120JD30
Modello di prodotti:
APT50GR120JD30
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1200V 84A 417W SOT227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
67736 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APT50GR120JD30.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.2V @ 15V, 50A
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227
Serie:-
Potenza - Max:417W
Contenitore / involucro:SOT-227-4
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:5.55nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
Descrizione dettagliata:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227
Corrente - Cutoff collettore (max):1.1mA
Corrente - collettore (Ic) (max):84A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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