| Condizione | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 950mV @ 100A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-264 [L] |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 70ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| Altri nomi: | APT100S20LCTGMI APT100S20LCTGMI-ND |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Schottky |
| Configurazione diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrizione dettagliata: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 2mA @ 200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 120A |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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APT102GA60B2 | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO247 | Inchiesta |
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APT10M11JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP | Inchiesta |
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APT100GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | Inchiesta |
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APT10M11JVRU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Inchiesta |
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APT100GT60B2RG | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT247 | Inchiesta |
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APT100M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 | Inchiesta |
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APT10M11B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Inchiesta |
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APT100GT120JR | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | Inchiesta |
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APT10M11JVRU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 | Inchiesta |
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APT100GT120JU3 | Microsemi | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | Inchiesta |
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APT100GT60JRDQ4 | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Inchiesta |
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APT10M09B2VFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | Inchiesta |
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APT100GT60JR | Microsemi | IGBT 600V 148A 500W SOT227 | Inchiesta |
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APT102GA60L | Microsemi | IGBT 600V 183A 780W TO264 | Inchiesta |
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APT100MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP | Inchiesta |
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APT10DC120HJ | Microsemi | DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 | Inchiesta |
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APT10M07JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP | Inchiesta |
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APT100GT120JRDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | Inchiesta |
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APT106N60B2C6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | Inchiesta |
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APT100S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 | Inchiesta |