70T651S12BFGI8
Modello di prodotti:
70T651S12BFGI8
fabbricante:
IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione:
IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
53984 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
70T651S12BFGI8.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:12ns
Tensione di alimentazione -:2.4 V ~ 2.6 V
Tecnologia:SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore:208-CABGA (15x15)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:208-LFBGA
Altri nomi:IDT70T651S12BFGI8
IDT70T651S12BFGI8-ND
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:SRAM
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15)
Numero di parte base:IDT70T651
Tempo di accesso:12ns
Email:[email protected]

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