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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD2607FU6
2SD2607FU6
2SD2607FU6
Modello di prodotti:
2SD2607FU6
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
52150 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
2SD2607FU6.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):8A
Tensione - Ripartizione:TO-220FN
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:100V
Serie:-
Stato RoHS:Bulk
Resistenza - Base (R1) (ohm):40MHz
Potenza - Max:2W
Polarizzazione:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2SD2607FU6
Frequenza - transizione:1000 @ 2A, 3V
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 40MHz 2W Through Hole TO-220FN
Descrizione:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:10µA (ICBO)
Corrente - Cutoff collettore (max):1.5V @ 6mA, 3A
Corrente - collettore (Ic) (max):NPN - Darlington
Email:[email protected]

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