Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W25X40VSNIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC Penyelidikan
W632GG6AB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W9425G6KH-5 TR Image W9425G6KH-5 TR IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W9825G2JB-6 Image W9825G2JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Penyelidikan
W25Q32FWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q32FWSTIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25X16AVSFIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q128BVEJG IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W25Q80DVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W97AH6KBVX2I Image W97AH6KBVX2I IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA Penyelidikan
W25X80AVZPIG IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q256JVBIQ TR Image W25Q256JVBIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Penyelidikan
W29GL256SH9B TR Image W29GL256SH9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Penyelidikan
W25Q32FVZPIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU6KB-12 TR Image W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25Q80BWSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q32BVSSJG IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W25B40AVSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Penyelidikan
W631GG8KB-15 TR Image W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W9812G6JB-6I Image W9812G6JB-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Penyelidikan
W25Q16FWBYIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WLCSP Penyelidikan
W947D2HBJX5E Image W947D2HBJX5E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q32FVTBJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W29N02GVSIAF Image W29N02GVSIAF IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP Penyelidikan
W972GG8JB-3 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q128FVEIP IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q64CVZEJP TR IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W632GU6KB12I TR Image W632GU6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W25X20VZPIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8WSON Penyelidikan
W98AD6KBGX6E TR 1GB MSDR X16 166MHZ Penyelidikan
W25Q64FVTBJQ IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
W25Q20EWUXIE TR Image W25Q20EWUXIE TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8USON Penyelidikan
W29GL064CB7S Image W29GL064CB7S IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP Penyelidikan
W25Q32JVSTIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8VSOP Penyelidikan
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Penyelidikan
W9825G2JB-75 TR Image W9825G2JB-75 TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Penyelidikan
W631GG8KB-11 Image W631GG8KB-11 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W25Q128FVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W19B320ATB7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA Penyelidikan
W25Q32FVZPJF TR IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W631GG6KS12I IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W25Q64JVSSIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC Penyelidikan
W29GL128PH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Penyelidikan
W25X40CLSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q128JVEIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q16VSSIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W971GG6SB25I Image W971GG6SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Penyelidikan
W631GG6MB11I TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA Penyelidikan
W25Q256JVFIM TR IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q64FVTCJQ IC FLASH MEMORY 64MB Penyelidikan
catatan 1,271