W987D2HBJX6E TR
W987D2HBJX6E TR
Nomor bagian:
W987D2HBJX6E TR
Pabrikan:
Winbond Electronics Corporation
Deskripsi:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
74878 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
W987D2HBJX6E TR.pdf

pengantar

W987D2HBJX6E TR harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk W987D2HBJX6E TR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk W987D2HBJX6E TR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman:15ns
Tegangan - Pasokan:1.7 V ~ 1.95 V
Teknologi:SDRAM - Mobile LPSDR
Paket Perangkat pemasok:90-VFBGA (8x13)
Seri:-
Pengemasan:Tape & Reel (TR)
Paket / Case:90-TFBGA
Nama lain:W987D2HBJX6E TR-ND
W987D2HBJX6ETR
Suhu Operasional:-25°C ~ 85°C (TC)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
memory Type:Volatile
Ukuran memori:128Mb (4M x 32)
Antarmuka Memori:Parallel
Format Memori:DRAM
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Detil Deskripsi:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Frekuensi Jam:166MHz
Waktu akses:5.4ns
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar