Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - RF > BLF6G10LS-160RN,11
BLF6G10LS-160RN,11
BLF6G10LS-160RN,11
Nomor bagian:
BLF6G10LS-160RN,11
Pabrikan:
Ampleon
Deskripsi:
RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
78238 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
BLF6G10LS-160RN,11.pdf
Penyelidikan

pengantar

BLF6G10LS-160RN,11 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk BLF6G10LS-160RN,11, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk BLF6G10LS-160RN,11 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tegangan - Uji:32V
Tegangan - Nilai:65V
transistor Jenis:LDMOS
Paket Perangkat pemasok:SOT502B
Seri:-
Listrik - Output:32W
Pengemasan:Tray
Paket / Case:SOT-502B
Nama lain:568-8637
934063282112
BLF6G10LS-160RN,11-ND
BLF6G10LS160RN11
kebisingan Gambar:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Mendapatkan:22.5dB
Frekuensi:922.5MHz ~ 957.5MHz
Detil Deskripsi:RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 32W SOT502B
Peringkat saat ini:39A
Saat ini - Uji:1.2A
Nomor Bagian Dasar:BLF6G10
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk BLF6G10LS-160RN,11

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
BLF6G10L-40BRN,118 Image BLF6G10L-40BRN,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A Penyelidikan
BLF6G10LS-200RN:11 Image BLF6G10LS-200RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-160,112 Image BLF6G10LS-160,112 Ampleon RF FET LDMOS SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-135RN,11 Image BLF6G10LS-135RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-200RN,11 Image BLF6G10LS-200RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-135R,112 Image BLF6G10LS-135R,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-160,118 Image BLF6G10LS-160,118 Ampleon RF FET LDMOS SOT502B Penyelidikan
BLF6G10S-45,112 Image BLF6G10S-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B Penyelidikan
BLF6G10LS-200,118 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-135RN:11 Image BLF6G10LS-135RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-200,112 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-160RN:11 Image BLF6G10LS-160RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-260PRN,1 Image BLF6G10LS-260PRN,1 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B Penyelidikan
BLF6G10LS-135R,118 Image BLF6G10LS-135R,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-260PRN:1 Image BLF6G10LS-260PRN:1 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B Penyelidikan
BLF6G10LS-200R,118 Image BLF6G10LS-200R,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502B Penyelidikan
BLF6G10LS-200R,112 Image BLF6G10LS-200R,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502B Penyelidikan
BLF6G10L-260PRN,11 Image BLF6G10L-260PRN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Penyelidikan
BLF6G10L-40BRN,112 Image BLF6G10L-40BRN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A Penyelidikan
BLF6G10L-260PRN:11 Image BLF6G10L-260PRN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Penyelidikan

Latest Berita