W632GU8MB12I TR
W632GU8MB12I TR
Modèle de produit:
W632GU8MB12I TR
Fabricant:
Winbond Electronics Corporation
La description:
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
48937 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.W632GU8MB12I TR.pdf2.W632GU8MB12I TR.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.283 V ~ 1.45 V
La technologie:SDRAM - DDR3
Package composant fournisseur:78-VFBGA (8x10.5)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:78-VFBGA
Autres noms:W632GU8MB12I TR-ND
W632GU8MB12ITR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:2Gb (128M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 78-VFBGA (8x10.5)
Fréquence d'horloge:800MHz
Temps d'accès:20ns
Email:[email protected]

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