TK380A60Y,S4X
TK380A60Y,S4X
Modèle de produit:
TK380A60Y,S4X
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
64577 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TK380A60Y,S4X.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 360µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220SIS
Séries:DTMOSV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipation de puissance (max):30W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:TK380A60Y,S4X(S
TK380A60YS4X
TK380A60YS4X(S
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:590pF @ 300V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 9.7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9.7A (Tc)
Email:[email protected]

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