STH400N4F6-6
STH400N4F6-6
Modèle de produit:
STH400N4F6-6
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
82853 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STH400N4F6-6.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:H2PAK-6
Séries:DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.15 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Autres noms:497-14537-6
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:20500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:404nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:180A (Tc)
Numéro de pièce de base:STH400N4
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