SIHD5N50D-E3
SIHD5N50D-E3
Modèle de produit:
SIHD5N50D-E3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
49683 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SIHD5N50D-E3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D-PAK (TO-252AA)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):104W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
Description détaillée:N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

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