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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S34MS02G100BHB000
S34MS02G100BHB000
Modèle de produit:
S34MS02G100BHB000
Fabricant:
Cypress Semiconductor
La description:
IC FLASH 2G PARALLEL
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
81072 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
S34MS02G100BHB000.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:45ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:FLASH - NAND
Séries:Automotive, AEC-Q100, MS-1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 105°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:2Gb (256M x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 45ns
Temps d'accès:45ns
Email:[email protected]

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