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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > S34MS01G200GHI000
S34MS01G200GHI000
S34MS01G200GHI000
Modèle de produit:
S34MS01G200GHI000
Fabricant:
Cypress Semiconductor
La description:
IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
39755 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
S34MS01G200GHI000.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:45ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:FLASH - NAND
Package composant fournisseur:67-BGA (8x6.5)
Séries:MS-2
Emballage:Tray
Package / Boîte:67-VFBGA
Autres noms:428-4273
S34MS01G200GHI000-ND
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:1Gb (128M x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 45ns 67-BGA (8x6.5)
Temps d'accès:45ns
Email:[email protected]

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image Modèle de produit Fabricant La description Vue
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