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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B
Modèle de produit:
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 16G 800MHZ FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
46484 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B.pdf
Enquête

introduction

MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B meilleur prix et livraison rapide.
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.2V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR3
Séries:-
Autres noms:MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-ND
MT52L256M64D2QB-125XTES:B
Température de fonctionnement:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:16Gb (256M x 64)
Interface mémoire:-
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 800MHz
Fréquence d'horloge:800MHz
Email:[email protected]

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