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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT47H64M8SH-187E:H TR
MT47H64M8SH-187E:H TR
Modèle de produit:
MT47H64M8SH-187E:H TR
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
60668 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT47H64M8SH-187E:H TR.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.9 V
La technologie:SDRAM - DDR2
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Autres noms:MT47H64M8SH-187E:H TR-ND
MT47H64M8SH-187E:HTR
Température de fonctionnement:0°C ~ 85°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:512Mb (64M x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 533MHz 350ps
Fréquence d'horloge:533MHz
Temps d'accès:350ps
Email:[email protected]

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