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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
Modèle de produit:
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
45779 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR.pdf
Enquête

introduction

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR meilleur prix et livraison rapide.
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.8V
La technologie:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Autres noms:MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR-ND
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80DTR
Température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH, RAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
Fréquence d'horloge:533MHz
Email:[email protected]

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