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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR
Modèle de produit:
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
59767 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:60ns
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:FLASH - NOR
Package composant fournisseur:56-VFBGA (7x9)
Séries:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:56-VFBGA
Autres noms:MT28EW512ABA1HPN-0SITTR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Non-Volatile
Taille mémoire:512Mb (64M x 8, 32M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 95ns 56-VFBGA (7x9)
Temps d'accès:95ns
Email:[email protected]

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