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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MSM51V18160F-60T3-K7
MSM51V18160F-60T3-K7
MSM51V18160F-60T3-K7
Modèle de produit:
MSM51V18160F-60T3-K7
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
70916 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MSM51V18160F-60T3-K7.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:3 V ~ 3.6 V
La technologie:DRAM
Package composant fournisseur:-
Séries:-
Emballage:Tube
Package / Boîte:-
Autres noms:MSM51V18160F60T3K7
Température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):2 (1 Year)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:16Mb (1M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:DRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns
Numéro de pièce de base:MSM5*
Temps d'accès:30ns
Email:[email protected]

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