| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 15V |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | Micro-X ceramic (84C) |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.25W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Micro-X ceramic (84C) |
| Autres noms: | MRF581AMI MRF581AMI-ND |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Gain: | 13dB ~ 15.5dB |
| Fréquence - Transition: | 5GHz |
| Description détaillée: | RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount Micro-X ceramic (84C) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 90 @ 50mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 200mA |
| Numéro de pièce de base: | MRF581 |
| Email: | [email protected] |
