FDG6304P-F169
Modèle de produit:
FDG6304P-F169
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
INTEGRATED CIRCUIT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
64380 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDG6304P-F169.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V
Puissance - Max:300mW
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:62pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
type de FET:2 P-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA (Ta) 300mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:410mA (Ta)
Email:[email protected]

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