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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > EDW4032BABG-50-F-D
EDW4032BABG-50-F-D
Modèle de produit:
EDW4032BABG-50-F-D
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC RAM 4G PARALLEL 1.25GHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
36594 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EDW4032BABG-50-F-D.pdf
Enquête

introduction

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Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.31 V ~ 1.65 V
La technologie:SGRAM - GDDR5
Séries:-
Température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:4Gb (128M x 32)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:RAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SGRAM - GDDR5 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 1.25GHz
Fréquence d'horloge:1.25GHz
Email:[email protected]

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