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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DRA2115G0L
DRA2115G0L
Modèle de produit:
DRA2115G0L
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58385 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
DRA2115G0L.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:Mini3-G3-B
Séries:-
Résistance - Base (R1):100 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:DRA2115G0LDKR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:DRA2115
Email:[email protected]

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