CSD19531Q5A
Modèle de produit:
CSD19531Q5A
Fabricant:
TI
La description:
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
55023 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
CSD19531Q5A.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSONP (5x6)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.4 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.3W (Ta), 125W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:296-41232-2
CSD19531Q5A-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3870pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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